结果显示，scb10干式变压器t1的饱和度与主反激运转的一次绕组电阻和二次绕组相关。T1内置可以产生一个电源ic的电源VCC的第三绕阻(引脚4、5)，有关法律这点，须另行开展检查工作是否如设计般产生VCC。
*先回忆一下scb10干式变压器的饱和度。scb10干式变压器所使用的带磁纳米材料(铁、铁氧体等)，具有市场饱和磁通密度的特点。随着流入scb10干式变压器初级绕组的电流增加，磁场强度会增加，磁通密度不会无休止地提升。在符合饱和点以后，磁束密度基本不会回应于电流的的增加提升。此种发展状况可以称为一个饱和磁化，这时的磁通密度就是饱和磁通密度。
超出饱和点后饱和磁化状态称为scb10干式变压器饱和。对此，与电感开展相同。scb10干式变压器的饱和，除了我们不会得到提高磁通密度外，电感值反倒会急剧增加降低。
当电感值减小时，电阻测量仅为scb10干式变压器绕阻的电阻。也就是说，scb10干式变压器开展饱和后将流过大造成电流。这便是电源设计里出现scb10干式变压器饱和难题的原因。对此，与电感相同。
右侧的波形信息是scb10干式变压器的把一次侧内置MOSFET的Ids开展工作开关，绿色线为正常，即scb10干式变压器未饱和。相较于此，红色斜线也表示scb10干式变压器饱和时的典型波形。
如同一个以上，scb10干式变压器一但饱和，将流过大产生电流，造成Ids产生变化峰值电流，也就是通过电流急剧发展提高。当电流过大时，可能会损坏MOSFET。
scb10干式变压器设计时，计算一次侧的主要工作电流Ippk，以进行一些适合的scb10干式变压器结构设计，注意到像以上波形数据般的Ids电流信号波型时，就需要通过从头开始展开分析scb10干式变压器系统设计。scb10干式变压器设计相关知识请参阅这里。
